Intel市场供应研究经理Charles Chang于台北IDF会上表示，现时Intel已接收到各大内存厂商的DDR3内存模块，并已稳定地运作于Intel测试平台上，预测业界将会于2007年初正式投产DDR3内存模块，并于年中推出市面。

据Charles Chang指出，DDR3内存模块拥有较DDR2优胜的频宽功耗比(Bandwitdh per watt)，对比现有DDR2-800产品，DDR3-800、1067及1333的功耗比分别为0.72X、0.83X及0.95X，不单内存频宽的大幅提升外，功耗表现亦较上代为佳。

但Chalres Chang不讳言在2009年前，DDR3并非主流用家的玩意，市场上仍是以DDR2为主流，Charles Chang引用iSuppli于2006年第三季作出的DDR3对比DDR2出量货与价格预估报告指出，2007年DDR3内存模块出货仅占DDR3与DDR2内存模块市场总和不足一成，而DDR3内存模块售价平均比DDR2高出约五成。 2008年DDR3内存模块出货将会提升至二成五，而售价将会大幅贴近DDR2内存，但预计要直至2009年，市场才会出现交替动作。

不少消费者均被CAS延迟值数值所误导，认为DDR3内存在延迟值表现将不及DDR2，但据Samsung半导体内存产品规划事业群高级工程师Kim Gyou Joong指出，这是完全错误、无知的观念，事实上，JEDEC定下的DDR2-533的CL 4-4-4、DDR2-667的CL 5-5-5及DDR2-800的 CL6-6-6，其内存延迟均为15ns。

据Kim Gyou Joong指出，CAS Latency是指内存需要经过多少个周期，才能开始读写资料，但要计算整个内存模块的延迟值，还需要把内存颗粒运作时脉计算在内。

现时，DDR3-1066、DDR3-1333及DDR3-1600的CL值分别为7-7-7、8-8-8及9-9-9，把内存颗粒运作时脉计算在内，其内存模块的延迟值应为13.125、12.ns及11.25ns，相比DDR2内存模块改善约25%，因此消费者以CAS数值当成内存模块的延迟值是不正确的。